1200℃雙溫區CVD系統
所屬分類：
關鍵詞：
CVD
雙溫區CVD系統
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- 商品名稱: 1200℃雙溫區CVD系統
- 商品編號: 1034429773968662528
產品用途：此款CVD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。
銷售熱線：15122725930
產品用途：
此款CVD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。
產品組成：
此款CVD系統配置：
1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區、雙溫區）。
2.多路質量流量控制系統
3.真空系統（可選配中真空或高真空）
產品特點：
1 控制電路選用模糊PID程控技術，該技術控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。
2 氣路快速連接法蘭結構采用本公司獨有的知識產權專利設計,提高操作便捷性。
3 中真空系統具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統采用高壓強，耐沖擊分子泵
防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統使用壽命。
系統名稱
1200℃單/雙溫區CVD系統
系統型號
CVD-12II-3Z/G
CVD-12II6-3Z/G
最高溫度
1200℃
加熱區長度
420mm
600mm
恒溫區長度
280mm
390mm
溫區
雙溫區
雙溫區
石英管管徑
Φ50/Φ60/Φ80mm
Φ80/Φ100mm
額定功率
3.2Kw
4.8Kw
額定電壓
220V
溫度控制
國產程序控溫系統50段程序控溫；
控制精度
±1℃
爐管最高工作溫度
＜1200℃
氣路法蘭
密封法蘭與管件連接的地方采用多環密封技術，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在第一次使用設備的時候安裝
氣體控制方式
質量流量計
氣路數量
3路（可根據具體需要選配氣路數量）
流量范圍
0-500sccm(標準毫升/分，可選配）氮氣標定
精度
±1%F.S
響應時間
≤4sec
工作溫度
5-45℃
工作壓力
進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力）
系統連接方式
采用KF快速連接波紋管、高真空手動擋板閥及數顯真空測量儀
規格
高真空
系統真空范圍
1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵
真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW
真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW
爐體外形尺寸
340×580×555mm
480×770×605mm
系統外形尺寸
530x1440x750mm(不含高真空)
系統總重量
330kg
關鍵詞:- CVD
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